DiodesZetex MOSFET, canale N, 10 Ω, 240 mA, SOT-963, Montaggio superficiale
DiodesZetex MOSFET, canale N, 10 Ω, 240 mA, SOT-963, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.05V, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -10 V, +10 V, Lunghezza: 1.05mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMN26D0UDJ-7
DiodesZetex MOSFET, DMN26D0UDJ-7, Dual, N-Canal-Canal, 240 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-963 Aislado Si
DiodesZetex MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 240 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-963 Aislado Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.05V, Disipación de Potencia Máxima: 300 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -10 V, +10 V, Longitud: 1.05mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: DMN26D0UDJ-7