STMicroelectronics MOSFET, canale N, 600 mΩ, 7 A, DPAK, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 600 mΩ, 7 A, DPAK, Montaggio superficiale, Numero pin: 3, Resistenza massima drain source: 600 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 70 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.5V, Altezza: 2.17mm, MPN: STD8N65M5
STMicroelectronics MOSFET, STD8N65M5, N-Canal-Canal, 7 A, 3-Pin, DPAK Simple
STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 7 A, 3-Pin, DPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 600 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 70 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.5V, Altura: 2.17mm, MPN: STD8N65M5