STMicroelectronics MOSFET, canale N, 630 mΩ, 7 A, D2PAK, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 630 mΩ, 7 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 630 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 70 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Numero di elementi per chip: 1, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, Tensione diretta del diodo: 1.6V, MPN: STB43N65M5
STMicroelectronics AEC-Q101 MOSFET, STB43N65M5, N-Canal-Canal, 7 A, 3-Pin, D2PAK Simple
STMicroelectronics AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 7 A, 3-Pin, D2PAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 630 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 70 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Tensión de diodo directa: 1.6V, MPN: STB43N65M5