Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236AB, Montaggio superficiale
Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TN2106K1-G
Microchip MOSFET, TN2106K1-G, N-Canal-Canal, 280 mA, 60 V, 3-Pin, TO-236AB TN2106 Simple
Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 280 mA, 60 V, 3-Pin, TO-236AB TN2106 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 360 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 3.04mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TN2106K1-G