Microchip MOSFET, canale N, 5,3 Ω, 200 mA, TO-92, Su foro
Microchip MOSFET, canale N, 5,3 Ω, 200 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 30 V, Tensione diretta del diodo: 0.85V, MPN: 2N7000-G
Microchip MOSFET, 2N7000-G, N-Canal-Canal, 200 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 2N7000 Simple
Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 200 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 2N7000 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,3 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.8V, Disipación de Potencia Máxima: 1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 30 V, Tensión de diodo directa: 0.85V, MPN: 2N7000-G