Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 2 mΩ, 60 A, 1212, Montaggio superficiale
Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 2 mΩ, 60 A, 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 65,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SiSS12DN-T1-GE3
Vishay Siliconix MOSFET, SiSS12DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 60 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si
Vishay Siliconix MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 65,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiSS12DN-T1-GE3