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onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: HUF75344G3

EUR 3.51

1

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: HUF75344P3

EUR 2.76

1

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: HUF75344G3

EUR 4.13

1

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: HUF75344P3

EUR 3.24

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-220AB 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-220AB 75 A 55 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 285 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: HUF75344P3

EUR 2.76

1

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 16.3mm, Lunghezza: 10.67mm, MPN: HUF75344P3

EUR 2.93

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-220AB 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-220AB 75 A 55 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 285 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: HUF75344P3

EUR 3.24

1

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 55 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 285 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: HUF75344G3

EUR 4.13

1

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 20.82mm, Lunghezza: 15.87mm, MPN: HUF75344G3

EUR 3.51

1

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 55 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 285 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: HUF75344G3

EUR 3.51

1

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 55 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 285 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 20.82mm, Longueur: 15.87mm, MPN: HUF75344G3

EUR 3.51

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-220AB 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-220AB 75 A 55 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 285 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 16.3mm, Longueur: 10.67mm, MPN: HUF75344P3

EUR 2.93

1

onsemi MOSFET, HUF75344P3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 285 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 16.3mm, Longitud: 10.67mm, MPN: HUF75344P3

EUR 2.93

1

onsemi MOSFET, HUF75344G3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 285 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: HUF75344G3

EUR 3.51

1

onsemi MOSFET, HUF75344P3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 285 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: HUF75344P3

EUR 2.76

1

onsemi MOSFET, HUF75344G3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 285 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: HUF75344G3

EUR 4.13

1

onsemi MOSFET, HUF75344G3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 285 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 20.82mm, Longitud: 15.87mm, MPN: HUF75344G3

EUR 3.51

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onsemi MOSFET, HUF75344P3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 285 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: HUF75344P3

EUR 3.24

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Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET canal N,, TO-220AB 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET canal N,, TO-220AB 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-220AB 75 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET, HUF75344P3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, HUF75344G3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, HUF75344P3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, HUF75344G3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, HUF75344G3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, HUF75344P3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si

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