Pricemate

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: SiC, Serie: SiC Power, MPN: NTH4L045N065SC1

EUR 8.22

1

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 310 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 18.9mm, Lunghezza: 15.8mm, MPN: FQA55N25

EUR 5.84

1

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 310 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQA55N25

EUR 5.49

1

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 310 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQA55N25

EUR 6.45

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 55 A 250 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 55 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 310 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 18.9mm, Longueur: 15.8mm, MPN: FQA55N25

EUR 5.84

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 55 A 250 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 55 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 310 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FQA55N25

EUR 5.49

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 55 A 250 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 55 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 310 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FQA55N25

EUR 6.45

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 55 A 650 V, 4 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 55 A 650 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,05 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: SiC, Série: SiC Power, MPN: NTH4L045N065SC1

EUR 8.22

1

onsemi MOSFET, NTH4L045N065SC1-1, N-Canal-Canal, 55 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 SiC Power SiC

onsemi MOSFET-1, N-Canal-Canal, 55 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 SiC Power SiC, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,05 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V, MPN: NTH4L045N065SC1

EUR 8.22

1

onsemi MOSFET, FQA55N25, N-Canal-Canal, 55 A, 250 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 55 A, 250 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 310000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 18.9mm, Longitud: 15.8mm, MPN: FQA55N25

EUR 5.84

1

onsemi MOSFET, FQA55N25, N-Canal-Canal, 55 A, 250 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 55 A, 250 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 310 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FQA55N25

EUR 5.49

1

onsemi MOSFET, FQA55N25, N-Canal-Canal, 55 A, 250 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 55 A, 250 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 310000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FQA55N25

EUR 6.45

1

onsemi Circuit d'éliminateur indirect MC14490DWG, 4000, SOIC,16 broches

onsemi Circuit d'éliminateur indirect MC14490DWG, 4000, SOIC,16 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Longueur: 10.45mm, Largeur: 7.6mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C

EUR 6.68

1

onsemi Circuit d'éliminateur indirect MC14490DWG, 4000, SOIC,16 broches

onsemi Circuit d'éliminateur indirect MC14490DWG, 4000, SOIC,16 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Longueur: 10.45mm, Largeur: 7.6mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C

EUR 6.82

1

onsemi Circuit d'éliminateur indirect MC14490DWG, 4000, SOIC,16 broches

onsemi Circuit d'éliminateur indirect MC14490DWG, 4000, SOIC,16 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Longueur: 10.45mm, Largeur: 7.6mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C

EUR 6.15

1

onsemi Circuito soppressore di rimbalzi MC14490DWG, 4000, 16-Pin, SOIC

onsemi Circuito soppressore di rimbalzi MC14490DWG, 4000, 16-Pin, SOIC, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Lunghezza: 10.45mm, Larghezza: 7.6mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C

EUR 6.82

1

onsemi Circuito soppressore di rimbalzi MC14490DWG, 4000, 16-Pin, SOIC

onsemi Circuito soppressore di rimbalzi MC14490DWG, 4000, 16-Pin, SOIC, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Lunghezza: 10.45mm, Larghezza: 7.6mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C

EUR 6.68

1

onsemi Circuito soppressore di rimbalzi MC14490DWG, 4000, 16-Pin, SOIC

onsemi Circuito soppressore di rimbalzi MC14490DWG, 4000, 16-Pin, SOIC, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Lunghezza: 10.45mm, Larghezza: 7.6mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C

EUR 6.15

1

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 4.9mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.9mm, MPN: FDS8958A

EUR 8.11

2

onsemi Circuito eliminador de rebote MC14490DWG, 4000, SOIC 16 pines

onsemi Circuito eliminador de rebote MC14490DWG, 4000, SOIC 16 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Longitud: 10.45mm, Ancho: 7.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C

EUR 6.68

1

onsemi Circuito eliminador de rebote MC14490DWG, 4000, SOIC 16 pines

onsemi Circuito eliminador de rebote MC14490DWG, 4000, SOIC 16 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Longitud: 10.45mm, Ancho: 7.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C

EUR 6.82

1

onsemi Circuito eliminador de rebote MC14490DWG, 4000, SOIC 16 pines

onsemi Circuito eliminador de rebote MC14490DWG, 4000, SOIC 16 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Longitud: 10.45mm, Ancho: 7.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C

EUR 6.15

1

onsemi Transistor numérique, SOT-223, 3 + Tab broches

onsemi Transistor numérique, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,69 W, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 6.7mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.7mm, MPN: NCV8440ASTT1G

EUR 8.82

2

onsemi IGBT, FGL40N120ANDTU,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple

onsemi IGBT,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 20 x 5 x 26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FGL40N120ANDTU

EUR 8.74

1

onsemi IGBT, HGTG30N60A4,, 75 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple

onsemi IGBT,, 75 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: HGTG30N60A4

EUR 6.28

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 55 A 250 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 55 A 250 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 55 A 250 V, 3 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 55 A 650 V, 4 broches

onsemi MOSFET, NTH4L045N065SC1-1, N-Canal-Canal, 55 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 SiC Power SiC

onsemi MOSFET, FQA55N25, N-Canal-Canal, 55 A, 250 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si

onsemi MOSFET, FQA55N25, N-Canal-Canal, 55 A, 250 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si

onsemi MOSFET, FQA55N25, N-Canal-Canal, 55 A, 250 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si

onsemi Circuit d'éliminateur indirect MC14490DWG, 4000, SOIC,16 broches

onsemi Circuit d'éliminateur indirect MC14490DWG, 4000, SOIC,16 broches

onsemi Circuit d'éliminateur indirect MC14490DWG, 4000, SOIC,16 broches

onsemi Circuito soppressore di rimbalzi MC14490DWG, 4000, 16-Pin, SOIC

onsemi Circuito soppressore di rimbalzi MC14490DWG, 4000, 16-Pin, SOIC

onsemi Circuito soppressore di rimbalzi MC14490DWG, 4000, 16-Pin, SOIC

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual

onsemi Circuito eliminador de rebote MC14490DWG, 4000, SOIC 16 pines

onsemi Circuito eliminador de rebote MC14490DWG, 4000, SOIC 16 pines

onsemi Circuito eliminador de rebote MC14490DWG, 4000, SOIC 16 pines

onsemi Transistor numérique, SOT-223, 3 + Tab broches

onsemi IGBT, FGL40N120ANDTU,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple

onsemi IGBT, HGTG30N60A4,, 75 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple

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