onsemi MOSFET, canale N, 30 mΩ, 6,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 30 mΩ, 6,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1mm, Lunghezza: 3mm, MPN: FDC8884