Pricemate

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro, MPN: NTH4L045N065SC1

EUR 10.89

1

onsemi MOSFET, canale N, 19 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 19 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.39mm, Lunghezza: 6.73mm, MPN: FDD8882

EUR 0.22

1

onsemi MOSFET, canale N, 19 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 19 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDD8882

EUR 0.22

1

onsemi MOSFET, canale N, 19 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 19 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDD8882

EUR 0.21

1

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: SiC, Serie: SiC Power, MPN: NTH4L045N065SC1

EUR 8.22

1

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: SiC, Serie: SiC Power, MPN: NTH4L045N065SC1

EUR 12.05

1

onsemi MOSFET, canale N, 11,7 mΩ, 55 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 11,7 mΩ, 55 A, MLP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 40 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.75mm, Lunghezza: 3.3mm, MPN: FDMC86520L

EUR 1.83

1

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 12 A, WDFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 12 A, WDFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 18 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVTFS6H888NTAG

EUR 0.28

1

onsemi MOSFET, canale N, 11,7 mΩ, 55 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 11,7 mΩ, 55 A, MLP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 40 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMC86520L

EUR 2.16

1

onsemi MOSFET, canale P, 55 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 55 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Altezza: 0.94mm, Lunghezza: 2.92mm, MPN: FDN302P

EUR 0.44

1

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 310 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 18.9mm, Lunghezza: 15.8mm, MPN: FQA55N25

EUR 5.84

1

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 0.45V, Dissipazione di potenza massima: 470 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±8 V, MPN: NTR3C21NZT1G

EUR 0.17

1

onsemi Regolatore buck boost MC34163DWG, 3A, Regolabile, 55 kHz, 16-Pin, SOIC-W

onsemi Regolatore buck boost MC34163DWG, 3A, Regolabile, 55 kHz, 16-Pin, SOIC-W, Regolazione di linea: 0,03%/V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Regolatore switching: Sì, Dimensioni: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Lunghezza: 10.45mm, Tensione massima in ingresso: 40 V, Massima temperatura operativa: +70 °C

EUR 3.00

1

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 100 A, TO-264, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 100 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20mm, MPN: FDL100N50F

EUR 16.05

1

onsemi MOSFET, canale P, 55 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 55 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDN302P

EUR 0.16

1

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 55 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 55 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 155 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 9.4mm, Lunghezza: 10.1mm, MPN: FQP55N10

EUR 0.81

1

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 310 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQA55N25

EUR 5.49

1

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 310 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQA55N25

EUR 6.45

1

onsemi MOSFET, canale P, 55 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 55 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDN302P

EUR 0.59

1

onsemi Regolatore buck boost MC34163DWG, 3A, Regolabile, 55 kHz, 16-Pin, SOIC-W

onsemi Regolatore buck boost MC34163DWG, 3A, Regolabile, 55 kHz, 16-Pin, SOIC-W, Tipo di regolatore: Commutazione buck boost, Tensione di uscita: -1 → 40 V., Regolazione di linea: 0,03%/V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Regolatore switching: Sì, Dimensioni: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Massima temperatura operativa: +70 °C

EUR 3.51

1

onsemi Regolatore buck boost MC34163DWG, 3A, Regolabile, 55 kHz, 16-Pin, SOIC-W

onsemi Regolatore buck boost MC34163DWG, 3A, Regolabile, 55 kHz, 16-Pin, SOIC-W, Tipo di regolatore: Commutazione buck boost, Tensione di uscita: -1 → 40 V., Regolazione di linea: 0,03%/V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Regolatore switching: Sì, Dimensioni: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Massima temperatura operativa: +70 °C

EUR 2.96

1

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 55 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 55 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 155 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP55N10

EUR 0.80

1

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 18 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 18 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 41 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQPF33N10L

EUR 1.66

1

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 100 A, TO-264, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 100 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 20mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDL100N50F

EUR 15.61

1

onsemi MOSFET, canale N, 22 mΩ, 55 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 22 mΩ, 55 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDPF55N06

EUR 1.53

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 19 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 19 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 19 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 11,7 mΩ, 55 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 12 A, WDFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 11,7 mΩ, 55 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 55 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi Regolatore buck boost MC34163DWG, 3A, Regolabile, 55 kHz, 16-Pin, SOIC-W

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 100 A, TO-264, Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 55 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 55 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, TO-3PN, Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 55 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi Regolatore buck boost MC34163DWG, 3A, Regolabile, 55 kHz, 16-Pin, SOIC-W

onsemi Regolatore buck boost MC34163DWG, 3A, Regolabile, 55 kHz, 16-Pin, SOIC-W

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 55 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 18 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 100 A, TO-264, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 22 mΩ, 55 A, TO-220F, Su foro

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