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onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: HUF75344P3

EUR 2.76

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onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: HUF75344G3

EUR 3.51

1

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: HUF75344P3

EUR 3.24

1

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: HUF75344G3

EUR 4.13

1

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 16.3mm, Lunghezza: 10.67mm, MPN: HUF75344P3

EUR 2.93

1

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 20.82mm, Lunghezza: 15.87mm, MPN: HUF75344G3

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