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Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 60 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 60 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.6V, Dissipation de puissance maximum: 65,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SiR188DP-T1-RE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 60 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 60 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.6V, Dissipation de puissance maximum: 65,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SiR188DP-T1-RE3

EUR 1.35
3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 60 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 60 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.6V, Dissipation de puissance maximum: 65,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: SiR188DP-T1-RE3

EUR 1.21
3

Vishay Siliconix Transistor MOSFET canal N,, TO-220AB 60 A 60 V, 3 broches

Vishay Siliconix Transistor MOSFET canal N,, TO-220AB 60 A 60 V, 3 broches

Vishay Siliconix Transistor MOSFET canal N,, TO-220AB 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 19 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Charge de Grille type @ Vgs: 33 nC @ 10 V, MPN: SUP60N06-12P-GE3

EUR 0.75
1

Vishay Siliconix MOSFET, SiR188DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SiR188DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.6V, Disipación de Potencia Máxima: 65,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiR188DP-T1-RE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SUP60N06-12P-GE3, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB TrenchFET

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SUP60N06-12P-GE3, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB TrenchFET

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 19 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 100 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.51mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 33 nC a 10 V, MPN: SUP60N06-12P-GE3

EUR 0.75
1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 4 mΩ, 60 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 4 mΩ, 60 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 4 mΩ, 60 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 3.6V, Dissipazione di potenza massima: 65,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SiR188DP-T1-RE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, canale N, 19 mΩ, 60 A, TO-220AB, Su foro

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, canale N, 19 mΩ, 60 A, TO-220AB, Su foro

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, canale N, 19 mΩ, 60 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.51mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Carica gate tipica @ Vgs: 33 nC a 10 V, MPN: SUP60N06-12P-GE3

EUR 0.75
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 27,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQS966ENW-T1_GE3

EUR 0.41
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 60 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 60 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 60 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 65,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -16 V, +20 V, Longueur: 3.15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SiSS12DN-T1-GE3

EUR 1.14
3

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 26,6 W, 60 W., Tensione massima gate source: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.45
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 26,6 W, 60 W., Tension Grille Source maximum: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.46
3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 60 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 43 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -16 V, +20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SiRA10BDP-T1-GE3

EUR 0.20
3