Pricemate

Vishay Siliconix Diode CMS, 40A, 45V, TO-263AB

Vishay Siliconix Diode CMS, 40A, 45V, TO-263AB, Configuration de diode: Simple, Type diode: Schottky, Chute minimale de tension directe: 670mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 240A, MPN: VBT4045BP-E3/4W

EUR 0.67

1

Vishay Siliconix Pont redresseur Monophasé, 20A, 600V, 4 broches, BU

Vishay Siliconix Pont redresseur Monophasé, 20A, 600V, 4 broches, BU, Type de montage: Traversant, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 240A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Tension directe de crête: 1.05V, Courant inverse crête: 350µA, Dimensions: 22.3 x 4.1 x 18.8mm, Longueur: 22.3mm, MPN: BU20065S-E3/45

EUR 0.91

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 10 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 107 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, MPN: SQD40061EL_GE3

EUR 1.24

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 52 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, MPN: SiSH617DN-T1-GE3

EUR 0.54

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, MPN: SQD40031EL_GE3

EUR 1.11

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQM40022EM_GE3

EUR 1.54

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 2,68 A 20 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 2,68 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 200 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 13,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±8 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQA401EEJ-T1_GE3

EUR 0.40

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, PowerPAK SO 28 A 80 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, PowerPAK SO 28 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 29 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 83 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI7469DP-T1-E3

EUR 1.56

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 24,5 A 150 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 24,5 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 55 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQJ872EP-T1_GE3

EUR 1.03

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 30 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 30 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 13,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQA403EJ-T1_GE3

EUR 0.37

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 30 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 30 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQJ415EP-T1_GE3

EUR 0.62

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, PowerPAK SO 28 A 80 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, PowerPAK SO 28 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 29 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 83 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI7469DP-T1-E3

EUR 2.29

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 600 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.46V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±8 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQ2364EES-T1_GE3

EUR 0.35

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 2,25 A 30 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 2,25 A 30 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 90 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.6V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 13,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±12 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQA470EEJ-T1_GE3

EUR 0.13

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 40 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 40 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 13,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQA405EJ-T1_GE3

EUR 0.46

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 16 A 80 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 16 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 90 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQJ481EP-T1_GE3

EUR 0.65

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 60 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 60 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 65,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -16 V, +20 V, MPN: SiSS12DN-T1-GE3

EUR 0.97

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQM40016EM_GE3

EUR 3.04

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 440 mA 60 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 440 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.45V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 430 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±8 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQ1464EEH-T1_GE3

EUR 0.12

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 52 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 3.15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SiSH617DN-T1-GE3

EUR 0.24

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 12 A 60 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 12 A 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SiA106DJ-T1-GE3

EUR 0.38

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 64,6 A 150 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 64,6 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SiDR622DP-T1-GE3

EUR 0.94

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 14,2 A 100 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 14,2 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 70 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 24 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 3.15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SiS110DN-T1-GE3

EUR 0.63

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 80 A 25 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 80 A 25 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 65,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +16 V, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: SiSS02DN-T1-GE3

EUR 0.80

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQD40031EL_GE3

EUR 0.69

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay Siliconix Diode CMS, 40A, 45V, TO-263AB

Vishay Siliconix Pont redresseur Monophasé, 20A, 600V, 4 broches, BU

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 2,68 A 20 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, PowerPAK SO 28 A 80 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 24,5 A 150 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 30 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 30 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, PowerPAK SO 28 A 80 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 2,25 A 30 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 40 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 16 A 80 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 60 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 440 mA 60 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 12 A 60 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 64,6 A 150 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 14,2 A 100 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 80 A 25 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

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