Pricemate

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 40 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 40 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 68 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +10 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: TJ40S04M3L

EUR 0.57

1

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 40 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 40 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 68 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +10 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: TJ40S04M3L

EUR 0.84

1

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 40 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 40 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 68 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +10 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: TJ40S04M3L

EUR 0.66

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches, MPN: TPHR8504PL,L1Q(M

EUR 2.30

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 82 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 82 A 40 V, 8 broches, MPN: TPH3R704PC,LQ(S

EUR 0.41

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches, MPN: SSM3K339R,LF(T

EUR 0.09

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 5,1 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 5,1 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.52mm, Longueur: 4.9mm, MPN: TPC8227-H,LQ(S

EUR 0.27

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 5,1 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 5,1 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 4.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TPC8227-H,LQ(S

EUR 0.29

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 5,1 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 5,1 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 4.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TPC8227-H,LQ(S

EUR 0.36

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 2.4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.4V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TPHR8504PL, MPN: TPHR8504PL,L1Q(M

EUR 2.95

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 2.4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.4V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TPHR8504PL, MPN: TPHR8504PL,L1Q(M

EUR 1.01

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 82 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 82 A 40 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 5,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: TPH3R704PC, MPN: TPH3R704PC,LQ(S

EUR 0.32

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 82 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 82 A 40 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 5,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: TPH3R704PC, MPN: TPH3R704PC,LQ(S

EUR 0.42

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,2 e + 008 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3K339R,LF(T

EUR 0.09

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,2 e + 008 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3K339R,LF(T

EUR 0.07

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 390 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±12 V, Hauteur: 0.7mm, MPN: SSM3K339R

EUR 0.07

1

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 65 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 65 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 107 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: TK65S04N1L

EUR 0.57

1

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 100 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 100 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: TK100S04N1L

EUR 0.83

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 390 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±12 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SSM3K339R

EUR 0.10

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 390 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±12 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SSM3K339R

EUR 0.08

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP avancé 20 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP avancé 20 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.95mm, MPN: TPCA8052-H

EUR 0.45

1

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 15 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 15 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 48 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.8V, Dissipation de puissance maximum: 29 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TJ15P04M3

EUR 0.39

1

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 65 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 65 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 107 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: TK65S04N1L

EUR 0.51

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.4V, Dissipation de puissance maximum: 132 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: TPH1R204PL

EUR 0.54

1

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 100 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 100 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: TK100S04N1L

EUR 0.62

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 40 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 40 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 40 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 82 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 5,1 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 5,1 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 5,1 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 82 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 82 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 65 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 100 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 2 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP avancé 20 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal P,, DPAK 15 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 65 A 40 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 150 A 40 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 100 A 40 V, 3 broches

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