Toshiba MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 7 A 600 V, 3 broches
Toshiba MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 7 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 600 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 60 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 2.3mm, Longueur: 6.6mm, MPN: TK7P60W,RVQ(S