Pricemate

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 88 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: TK60S06K3L

EUR 0.67

1

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 88 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: TK60S06K3L

EUR 0.77

1

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 88 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: TK60S06K3L

EUR 0.99

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK40A06N1,S4X(S

EUR 0.39

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 67 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK40E06N1

EUR 0.66

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 67 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK40E06N1

EUR 0.52

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 100 A 60 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 100 A 60 V, 8 broches, MPN: TPH1R306PL,L1Q(M

EUR 2.67

1

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 200 mA 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 200 mA 60 V, 3 broches, MPN: T2N7002AK,LM(T

EUR 0.02

1

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 2 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 2 A 60 V, 3 broches, MPN: SSM3J356R,LF(T

EUR 0.12

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 60 V, 3 broches, MPN: SSM3K341R,LF(T

EUR 0.26

1

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 3,5 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 3,5 A 60 V, 3 broches, MPN: SSM3J351R,LF(T

EUR 0.19

1

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 e + 006 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 100 A 60 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 100 A 60 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 2.3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TPH1R306PL, MPN: TPH1R306PL,L1Q(M

EUR 1.17

1

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 e + 006 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.04

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 100 A 60 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 100 A 60 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 2.3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TPH1R306PL, MPN: TPH1R306PL,L1Q(M

EUR 3.43

1

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 3,5 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 3,5 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,29 e + 008 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3J351R,LF(T

EUR 0.16

1

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 3,5 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 3,5 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,29 e + 008 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3J351R,LF(T

EUR 0.22

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 200 mA 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 200 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,2 e + 006 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: T2N7002AK,LM(T

EUR 0.02

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 200 mA 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 200 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,2 e + 006 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: T2N7002AK,LM(T

EUR 0.03

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,3 e + 007 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3K341R,LF(T

EUR 0.19

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,3 e + 007 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3K341R,LF(T

EUR 0.27

1

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 2 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 2 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4e+008 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3J356R,LF(T

EUR 0.10

1

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 2 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 2 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4e+008 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3J356R,LF(T

EUR 0.13

1

Toshiba IGBT, GT60J323(Q),, 60 A, 600 V, TO-3PLH, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 60 A, 600 V, TO-3PLH, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 20.5 x 5.2 x 26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: GT60J323(Q)

EUR 5.88

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DPAK 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 100 A 60 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 200 mA 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 2 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 3,5 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 100 A 60 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOP 100 A 60 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 3,5 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 3,5 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 200 mA 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 200 mA 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 2 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, SOT-23F 2 A 60 V, 3 broches

Toshiba IGBT, GT60J323(Q),, 60 A, 600 V, TO-3PLH, 3 broches, Simple

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