Pricemate

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 100kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10 x 4.5 x 15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.34

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 100kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10 x 4.5 x 15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 0.91

1

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 29 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: TJ15P04M3

EUR 0.57

1

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 29 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TJ15P04M3

EUR 0.68

1

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 29 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TJ15P04M3

EUR 0.39

1

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 43 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 43 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 53 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK30E06N1

EUR 0.46

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 100kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 10mm, Larghezza: 4.5mm, Altezza: 15mm, Dimensioni: 10 x 4.5 x 15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.14

1

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 43 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 43 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 53 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK30E06N1

EUR 0.31

1

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK30A06N1,S4X(S

EUR 0.42

1

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK30A06N1,S4X(S

EUR 0.31

1

Toshiba Transistor PNP, 3 Pin, TO-3PL, 15 A, 230 V,, Montaggio su foro

Toshiba Transistor PNP, 3 Pin, TO-3PL, 15 A, 230 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Guadagno minimo corrente c.c.: 35, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -230 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Frequenza operativa massima: 30 MHz, Dimensioni: 20.5 x 5.2 x 26mm, MPN: 2SA1943-O(Q)

EUR 2.11

1

Toshiba Transistor PNP, 3 Pin, TO-3PL, 15 A, 230 V,, Montaggio su foro

Toshiba Transistor PNP, 3 Pin, TO-3PL, 15 A, 230 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -230 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Frequenza operativa massima: 30 MHz, Dimensioni: 20.5 x 5.2 x 26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: 2SA1943-O(Q)

EUR 2.84

1

Toshiba Transistor PNP, 3 Pin, TO-3PL, 15 A, 230 V,, Montaggio su foro

Toshiba Transistor PNP, 3 Pin, TO-3PL, 15 A, 230 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -230 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Frequenza operativa massima: 30 MHz, Dimensioni: 20.5 x 5.2 x 26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: 2SA1943-O(Q)

EUR 2.10

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio con foro passante, uscita Transistor, 8 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio con foro passante, uscita Transistor, 8 Pin, Corrente massima diretta: 1.7V, Tipo di package: DIL, Tipo di corrente di ingresso: c.a., Corrente massima di ingresso: 15 mA, Tensione di isolamento: 5000 V rms, Uscita logica: Sì, MPN: TLP754

EUR 0.84

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio con foro passante, uscita Transistor, 8 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio con foro passante, uscita Transistor, 8 Pin, Corrente massima diretta: 1.7V, Tipo di package: DIL, Tipo di corrente di ingresso: c.a., Corrente massima di ingresso: 15 mA, Tensione di isolamento: 5000 V rms, Uscita logica: Sì, MPN: TLP754

EUR 0.84

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio con foro passante, uscita Transistor, 8 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio con foro passante, uscita Transistor, 8 Pin, Corrente massima diretta: 1.7V, Tipo di package: DIL, Tipo di corrente di ingresso: c.a., Corrente massima di ingresso: 15 mA, Tensione di isolamento: 5 kVrms, Uscita logica: Sì, MPN: TLP754

EUR 0.79

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 5 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 5 Pin, Corrente massima diretta: 1.7V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.a., Corrente massima di ingresso: 20 mA, Tensione di isolamento: 3750 Vrms, Uscita logica: Sì, Rapporto di trasferimento corrente massima: 15%, MPN: TLP2309

EUR 0.78

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 5 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 5 Pin, Corrente massima diretta: 1.7V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.a., Corrente massima di ingresso: 20 mA, Tensione di isolamento: 3750 Vrms, Uscita logica: Sì, Rapporto di trasferimento corrente massima: 15%, MPN: TLP2309

EUR 0.81

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 5 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 5 Pin, Corrente massima diretta: 1.7V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.a., Corrente massima di ingresso: 20 mA, Tensione di isolamento: 3,75 kVrms, Uscita logica: Sì, Rapporto di trasferimento corrente massima: 15%, MPN: TLP2309

EUR 0.73

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita LED a infrarossi, 6 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita LED a infrarossi, 6 Pin, Corrente massima diretta: 1.7V, Tipo di package: SDIP, Tipo di corrente di ingresso: c.a., Tempo di salita: 15ns, Corrente massima di ingresso: 15 mA, Tensione di isolamento: 5000 V rms, Uscita logica: Sì, MPN: TLP2766

EUR 1.33

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita IC, 5 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita IC, 5 Pin, Corrente massima diretta: 1.8V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 18ns, Corrente massima di ingresso: 15 mA, Tensione di isolamento: 3750 Vrms, Uscita logica: Sì, Tempo di caduta: 22ns, MPN: TLP152

EUR 0.44

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita IC, 5 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita IC, 5 Pin, Corrente massima diretta: 1.8V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 18ns, Corrente massima di ingresso: 15 mA, Tensione di isolamento: 3750 Vrms, Uscita logica: Sì, Tempo di caduta: 22ns, MPN: TLP152

EUR 1.78

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita IC, 5 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita IC, 5 Pin, Corrente massima diretta: 1.8V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 18ns, Corrente massima di ingresso: 15 mA, Tensione di isolamento: 3,75 kVrms, Uscita logica: Sì, Tempo di caduta: 22ns, MPN: TLP152

EUR 0.43

1

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 TC7SZ34F, CMOS, SOT-25, 5 Pin

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 TC7SZ34F, CMOS, SOT-25, 5 Pin, Funzione logica: Non invertente, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Corrente massima di uscita ad alto livello: -32mA, Ritardo di propagazione massimo @ CL max: 11 ns @ 15 pF, Dimensioni: 2.9 x 1.6 x 1.05mm, Lunghezza: 2.9mm

EUR 0.02

1

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 TC7WH17FK, CMOS, SOT-765, 8 Pin Sì

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 TC7WH17FK, CMOS, SOT-765, 8 Pin Sì, Tipo di ingresso: CMOS, trigger di Schmitt, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Corrente massima di uscita ad alto livello: -8mA, Ritardo di propagazione massimo @ CL max: 17 ns @ 15 pF, Dimensioni: 2 x 2.3 x 0.7mm, Lunghezza: 2mm

EUR 0.07

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 43 A, TO-220, Su foro

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 43 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba Transistor PNP, 3 Pin, TO-3PL, 15 A, 230 V,, Montaggio su foro

Toshiba Transistor PNP, 3 Pin, TO-3PL, 15 A, 230 V,, Montaggio su foro

Toshiba Transistor PNP, 3 Pin, TO-3PL, 15 A, 230 V,, Montaggio su foro

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio con foro passante, uscita Transistor, 8 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio con foro passante, uscita Transistor, 8 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio con foro passante, uscita Transistor, 8 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 5 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 5 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 5 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita LED a infrarossi, 6 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita IC, 5 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita IC, 5 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita IC, 5 Pin

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 TC7SZ34F, CMOS, SOT-25, 5 Pin

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 TC7WH17FK, CMOS, SOT-765, 8 Pin Sì

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