Pricemate

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 74LCX07FT, Hex canali, 74LCX, CMOS, open drain, TSSOP, 14 Pin

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 74LCX07FT, Hex canali, 74LCX, CMOS, open drain, TSSOP, 14 Pin, Numero di canali: 6, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Corrente massima di uscita ad alto livello: -24mA, Corrente massima di uscita a basso livello: 32mA, Dimensioni: 5 x 4.4 x 1mm, Lunghezza: 5mm, Tensione di alimentazione operativa massima: 5,5 V, Massima temperatura operativa: +125 °C

EUR 0.23

1

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 74LCX07FT, Hex canali, 74LCX, CMOS, open drain, TSSOP, 14 Pin

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 74LCX07FT, Hex canali, 74LCX, CMOS, open drain, TSSOP, 14 Pin, Numero di canali: 6, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Corrente massima di uscita ad alto livello: -24mA, Corrente massima di uscita a basso livello: 32mA, Dimensioni: 5 x 4.4 x 1mm, Tensione di alimentazione operativa massima: 5,5 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +125 °C

EUR 0.26

1

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 74LCX07FT, Hex canali, 74LCX, CMOS, open drain, TSSOP, 14 Pin

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 74LCX07FT, Hex canali, 74LCX, CMOS, open drain, TSSOP, 14 Pin, Numero di canali: 6, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Corrente massima di uscita ad alto livello: -24mA, Corrente massima di uscita a basso livello: 32mA, Dimensioni: 5 x 4.4 x 1mm, Tensione di alimentazione operativa massima: 5,5 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +125 °C

EUR 0.09

1

Toshiba Disque dur externe HDD 1 To Canvio Basics

Toshiba Disque dur externe HDD 1 To Canvio Basics, Dimensions: 78 x 109 x 14mm, Longueur: 78mm, Largeur: 109mm, MPN: HDTB410EK3AA

EUR 86.21

1

Toshiba Disque dur externe HDD 2 To Canvio Basics

Toshiba Disque dur externe HDD 2 To Canvio Basics, Dimensions: 78 x 109 x 14mm, Longueur: 78mm, Largeur: 109mm, MPN: HDTB420EK3AA

EUR 124.78

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090A65Z, MPN: TK090A65Z,S4X(S

EUR 5.08

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090N65Z, MPN: TK090N65Z,S1F(S

EUR 6.25

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090N65Z, MPN: TK090N65Z,S1F(S

EUR 10.53

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090A65Z, MPN: TK090A65Z,S4X(S

EUR 8.54

1

Toshiba IGBT, GT30J322(Q),, 30 A, 600 V, TO-3PNIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 30 A, 600 V, TO-3PNIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 15.8 x 5 x 21mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT30J322(Q)

EUR 3.33

1

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 0.91

1

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 4.55

1

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.03

1

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.9 x 4.8 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 1.85

1

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.90

1

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.9 x 4.8 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 2.79

1

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.34

1

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.66

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,09 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: TK090A65Z, MPN: TK090A65Z,S4X(S

EUR 5.08

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,09 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: TK090A65Z, MPN: TK090A65Z,S4X(S

EUR 8.54

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 20.5 x 26 x 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC5200-O(S1,F,S)

EUR 2.63

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247-4L(T

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247-4L(T, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090Z65Z, MPN: TK090Z65Z,S1F(O

EUR 18.44

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC5200N(S1,E,S)

EUR 2.11

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 74LCX07FT, Hex canali, 74LCX, CMOS, open drain, TSSOP, 14 Pin

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 74LCX07FT, Hex canali, 74LCX, CMOS, open drain, TSSOP, 14 Pin

Toshiba Buffer Schmitt AEC-Q100 74LCX07FT, Hex canali, 74LCX, CMOS, open drain, TSSOP, 14 Pin

Toshiba Disque dur externe HDD 1 To Canvio Basics

Toshiba Disque dur externe HDD 2 To Canvio Basics

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS

Toshiba IGBT, GT30J322(Q),, 30 A, 600 V, TO-3PNIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247-4L(T

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches

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