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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM090N03CP

EUR 0.77
1

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM090N03CP

EUR 0.66
1

Taiwan Semiconductor Diode TVS Unidirectionnel, claq. 15.2V, 22.5V DO-15, 2 broches, dissip. 600W

Taiwan Semiconductor Diode TVS Unidirectionnel, claq. 15.2V, 22.5V DO-15, 2 broches, dissip. 600W

Taiwan Semiconductor Diode TVS Unidirectionnel, claq. 15.2V, 22.5V DO-15, 2 broches, dissip. 600W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 13.6V, Courant d'impulsion crête maximum: 28A, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 7.6 x 3.6 x 3.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: P6KE16A

EUR 0.18
1

Taiwan Semiconductor Diode TVS Bidirectionnel, claq. 44.7V, 64.8V DO-15, 2 broches, dissip. 600W

Taiwan Semiconductor Diode TVS Bidirectionnel, claq. 44.7V, 64.8V DO-15, 2 broches, dissip. 600W

Taiwan Semiconductor Diode TVS Bidirectionnel, claq. 44.7V, 64.8V DO-15, 2 broches, dissip. 600W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 40.2V, Courant d'impulsion crête maximum: 9.7A, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Dimensions: 7.6 x 3.6 x 3.6mm, MPN: P6KE47CA

EUR 0.65
1

Taiwan Semiconductor Diode TVS Unidirectionnel, claq. 25.7V, 37.5V DO-15, 2 broches, dissip. 600W

Taiwan Semiconductor Diode TVS Unidirectionnel, claq. 25.7V, 37.5V DO-15, 2 broches, dissip. 600W

Taiwan Semiconductor Diode TVS Unidirectionnel, claq. 25.7V, 37.5V DO-15, 2 broches, dissip. 600W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 23.1V, Courant d'impulsion crête maximum: 16.8A, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 7.6 x 3.6 x 3.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: P6KE27A

EUR 0.21
1

Taiwan Semiconductor Diode TVS Bidirectionnel, claq. 44.7V, 64.8V DO-15, 2 broches, dissip. 600W

Taiwan Semiconductor Diode TVS Bidirectionnel, claq. 44.7V, 64.8V DO-15, 2 broches, dissip. 600W

Taiwan Semiconductor Diode TVS Bidirectionnel, claq. 44.7V, 64.8V DO-15, 2 broches, dissip. 600W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 40.2V, Courant d'impulsion crête maximum: 9.7A, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 7.6 x 3.6 x 3.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: P6KE47CA

EUR 0.77
1