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STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, PowerFLAT 25 A, 5 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, PowerFLAT 25 A, 5 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, PowerFLAT™ 25 A, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 110 m Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Tension directe de la diode: 1.5V, Hauteur: 0.9mm, MPN: STL45N60DM6

EUR 6.53
3

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, PowerFLAT 25 A, 5 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, PowerFLAT 25 A, 5 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, PowerFLAT™ 25 A, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 8.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STL45N60DM6

EUR 6.95
3

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT™, Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 8.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL45N60DM6

EUR 3.82
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH150N10F7-2

EUR 3.31
1