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STMicroelectronics IGBT, STGW30NC60KD, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple

STMicroelectronics IGBT, STGW30NC60KD, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple

STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.75 x 5.15 x 24.45mm, Energía nominal: 1435mJ, Capacitancia de puerta: 2170pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: STGW30NC60KD

EUR 6.64
1

STMicroelectronics IGBT, STGW30NC60KD, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple

STMicroelectronics IGBT, STGW30NC60KD, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple

STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.75 x 5.15 x 24.45mm, Energía nominal: 1435mJ, Capacitancia de puerta: 2170pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: STGW30NC60KD

EUR 5.71
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 360 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.97
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 360 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.6V, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.95
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.97
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.6V, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.95
1