18 Résultats (0,16250 Secondes)

Afficher tous les filtres

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Effacer les filtres

Produits
De
Boutiques

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 29 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 29 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 29 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW34NM60ND

EUR 12.05
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 417 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW45NM60

EUR 13.79
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 29 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 29 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 29 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW34NM60ND

EUR 10.39
1

STMicroelectronics MOSFET, STW45NM60, N-Canal-Canal, 45 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW45NM60, N-Canal-Canal, 45 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 417 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW45NM60

EUR 12.68
1

STMicroelectronics MOSFET, STW34NM60ND, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW34NM60ND, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW34NM60ND

EUR 10.38
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 45 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 45 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 45 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 417 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW45NM60

EUR 13.79
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 29 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 29 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 29 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW34NM60ND

EUR 12.05
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 29 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 29 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 29 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW34NM60ND

EUR 10.39
1

STMicroelectronics MOSFET, STW45NM60, N-Canal-Canal, 45 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW45NM60, N-Canal-Canal, 45 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 417 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STW45NM60

EUR 13.79
1

STMicroelectronics MOSFET, STW34NM60ND, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW34NM60ND, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 15.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STW34NM60ND

EUR 10.39
1

STMicroelectronics MOSFET, STW34NM60ND, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW34NM60ND, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 15.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STW34NM60ND

EUR 12.05
1