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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 350 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW55NM60ND

EUR 18.22
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 360 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 11.57
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 350 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW55NM60ND

EUR 10.06
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 11.57
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 51 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 51 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 51 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 350 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW55NM60ND

EUR 18.22
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 51 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 51 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 51 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 350 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW55NM60ND

EUR 10.06
1