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STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT™, Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 8.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL45N60DM6

EUR 3.82
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL110N10F7

EUR 1.10
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL110N10F7

EUR 2.15
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH150N10F7-2

EUR 3.31
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH150N10F7-2

EUR 1.82
1