STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH150N10F7-2