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STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 285 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP18NM60N

EUR 2.29
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 13 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 13 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 13 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 285 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP18NM60N

EUR 2.27
1

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 285 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STP18NM60N

EUR 2.69
1

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 285 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STP18NM60N

EUR 2.27
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STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 13 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 13 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 13 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 285 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP18NM60N

EUR 2.69
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