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STMicroelectronics MOSFET canal N,, PowerFLAT 110 A 100 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, PowerFLAT 110 A 100 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, PowerFLAT 110 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STL110N10F7

EUR 2.15
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STH150N10F7-2

EUR 3.31
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STH150N10F7-2

EUR 1.82
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, PowerFLAT 110 A 100 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, PowerFLAT 110 A 100 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, PowerFLAT 110 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STL110N10F7

EUR 1.10
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STF45N10F7

EUR 2.04
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP110N10F7

EUR 2.45
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STF45N10F7

EUR 2.22
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 312 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STW120NF10

EUR 4.44
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP110N10F7

EUR 2.18
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 312 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STW120NF10

EUR 4.95
1