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STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT™, Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 110 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Tensione diretta del diodo: 1.5V, Altezza: 0.9mm, MPN: STL45N60DM6

EUR 6.53
1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT™, Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 8.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL45N60DM6

EUR 6.95
1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT™, Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 8.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL45N60DM6

EUR 3.82
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH150N10F7-2

EUR 3.31
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL110N10F7

EUR 1.10
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL110N10F7

EUR 2.15
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH150N10F7-2

EUR 1.82
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 7 mΩ, 110 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 7 mΩ, 110 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 7 mΩ, 110 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.6mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STF45N10F7

EUR 2.04
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 417 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW45NM60

EUR 13.79
1