Pricemate

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,085 Ω, 30 A, TO-220FP

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,085 Ω, 30 A, TO-220FP, MPN: STF36N60M6

EUR 5.89

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247, MPN: STGWA30HP65FB

EUR 2.89

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220FP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGF15H60DF

EUR 1.60

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220FP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGF15H60DF

EUR 1.35

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220FP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 10.4mm, Larghezza: 4.6mm, Altezza: 16.4mm, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STGF15H60DF

EUR 1.44

1

STMicroelectronics Transistor bipolare NPN, 3 Pin, D2PAK, 30 A, 350 V, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor bipolare NPN, 3 Pin, D2PAK, 30 A, 350 V, Montaggio superficiale, Corrente c.c. massima collettore: 15 A, 30 A (Peak), Dissipazione di potenza massima: 150 W, Guadagno minimo corrente c.c.: 300, Configurazione transistor: Emettitore comune, Tensione massima base emitter: 5 V, Dimensioni: 10.4 x 9.35 x 4.37mm, Lunghezza: 10.4mm, Tensione massima di saturazione emitter: 2,5 V, MPN: BUB941ZTT4

EUR 4.06

1

STMicroelectronics Transistor bipolare NPN, 3 Pin, TO-220AB, 30 A, 350 V,, Montaggio su foro

STMicroelectronics Transistor bipolare NPN, 3 Pin, TO-220AB, 30 A, 350 V,, Montaggio su foro, Corrente c.c. massima collettore: 15 A, 30 A (Peak), Dissipazione di potenza massima: 150 W, Guadagno minimo corrente c.c.: 300, Configurazione transistor: Emettitore comune, Tensione massima base emitter: 5 V, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 15.75mm, Lunghezza: 10.4mm, Tensione massima di saturazione emitter: 2,5 V, MPN: BU941ZT

EUR 3.98

1

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, TO-220AB, Raddrizzatore Schottky

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, TO-220AB, Raddrizzatore Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 470mV, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 250A, MPN: FERD30M45CT

EUR 1.39

1

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, TO-220AB, Raddrizzatore Schottky

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, TO-220AB, Raddrizzatore Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 470mV, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 250A, MPN: FERD30M45CT

EUR 1.39

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 260 W, Numero di transistor: 1, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: STGWA30HP65FB

EUR 2.57

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 260 W, Numero di transistor: 1, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: STGWA30HP65FB

EUR 3.40

1

STMicroelectronics Driver gate MOSFET VNH5050A-E, 30 A, 18V, PowerSSO, 36-Pin

STMicroelectronics Driver gate MOSFET VNH5050A-E, 30 A, 18V, PowerSSO, 36-Pin, Tempo di discesa: 2µs, Topologia: Half Bridge, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Altezza: 2.4mm, Lunghezza: 10.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C

EUR 4.77

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,085 Ω, 30 A, TO-220FP

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,085 Ω, 30 A, TO-220FP, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: SiC, MPN: STF36N60M6

EUR 5.92

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,085 Ω, 30 A, TO-220FP

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,085 Ω, 30 A, TO-220FP, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: SiC, MPN: STF36N60M6

EUR 6.95

1

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, I2PAK (TO-262), Raddrizzatore Schottky

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, I2PAK (TO-262), Raddrizzatore Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 470mV, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 250A, MPN: FERD30M45CR

EUR 1.53

1

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, I2PAK (TO-262), Raddrizzatore Schottky

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, I2PAK (TO-262), Raddrizzatore Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 470mV, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 250A, MPN: FERD30M45CR

EUR 1.53

1

STMicroelectronics AEC-Q100 Driver gate MOSFET VN5T016AHTR-E, 30 A, 36V, HPAK, 6-Pin

STMicroelectronics AEC-Q100 Driver gate MOSFET VN5T016AHTR-E, 30 A, 36V, HPAK, 6-Pin, Topologia: Lato alto, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 6.6 x 6.2 x 2.4mm, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C

EUR 2.32

1

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2842BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2842BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin, Tensione di uscita: 5,05 V, Corrente di uscita: ±1 A, Tempo di discesa: 150ns, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Topologia: Boost, flyback, Dimensioni: 5 x 4 x 1.65mm, Duty cycle massimo: 100%, Controller PWM: Modalità corrente

EUR 0.83

1

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2843BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2843BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin, Metodo di controllo: Corrente, Topologia: Boost, flyback, Tempo di salita: 150ns, Duty cycle massimo: 100%, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Corrente di uscita: 1 A, Tensione di uscita: 5,05 V, Dimensioni: 5 x 4 x 1.65mm

EUR 0.66

1

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2843BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2843BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin, Tensione di uscita: 5,05 V, Corrente di uscita: 1 A, Tempo di discesa: 150ns, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Topologia: Boost, flyback, Dimensioni: 5 x 4 x 1.65mm, Duty cycle massimo: 100%, Controller PWM: Modalità corrente

EUR 0.77

1

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2843BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2843BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin, Tensione di uscita: 5,05 V, Corrente di uscita: 1 A, Tempo di discesa: 150ns, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Topologia: Boost, flyback, Dimensioni: 5 x 4 x 1.65mm, Duty cycle massimo: 100%, Controller PWM: Modalità corrente

EUR 0.97

1

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2842BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2842BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin, Tensione di uscita: 5,05 V, Corrente di uscita: ±1 A, Tempo di discesa: 150ns, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Topologia: Boost, flyback, Dimensioni: 5 x 4 x 1.65mm, Duty cycle massimo: 100%, Controller PWM: Modalità corrente

EUR 0.65

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 35 mΩ, 30 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 35 mΩ, 30 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 75 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.95mm, MPN: STL30N10F7

EUR 0.98

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 260 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGW30V60F

EUR 3.25

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 258 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGW30V60DF

EUR 3.23

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,085 Ω, 30 A, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics Transistor bipolare NPN, 3 Pin, D2PAK, 30 A, 350 V, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor bipolare NPN, 3 Pin, TO-220AB, 30 A, 350 V,, Montaggio su foro

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, TO-220AB, Raddrizzatore Schottky

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, TO-220AB, Raddrizzatore Schottky

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics Driver gate MOSFET VNH5050A-E, 30 A, 18V, PowerSSO, 36-Pin

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,085 Ω, 30 A, TO-220FP

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,085 Ω, 30 A, TO-220FP

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, I2PAK (TO-262), Raddrizzatore Schottky

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 15 A, 30 A, 45V, I2PAK (TO-262), Raddrizzatore Schottky

STMicroelectronics AEC-Q100 Driver gate MOSFET VN5T016AHTR-E, 30 A, 36V, HPAK, 6-Pin

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2842BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2843BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2843BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2843BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics Regolatore PWM UC2842BD1, 1, 30 V, 500 kHz, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 35 mΩ, 30 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-247

Powered by Cobiro