Pricemate

STMicroelectronics Modulo di potenza SiC, canale N, 0,065 Ω, 55 A, H2PAK

STMicroelectronics Modulo di potenza SiC, canale N, 0,065 Ω, 55 A, H2PAK, MPN: SCTH50N120-7

EUR 31.16

1

STMicroelectronics Modulo di potenza SiC, canale N, 0,065 Ω, 55 A, H2PAK

STMicroelectronics Modulo di potenza SiC, canale N, 0,065 Ω, 55 A, H2PAK, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 7, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.1V, Serie: SCTH50N120-7

EUR 35.36

1

STMicroelectronics Modulo di potenza SiC, canale N, 0,065 Ω, 55 A, H2PAK

STMicroelectronics Modulo di potenza SiC, canale N, 0,065 Ω, 55 A, H2PAK, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 7, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.1V, Serie: SCTH50N120-7

EUR 28.78

1

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 18 pin, PDIP

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 18 pin, PDIP, Tensione minima in ingresso: 8 V, Corrente di uscita massima: 3.5A, Convertitore: Step Down, Tipo di uscita: Regolabile, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 24.8 x 7.1 x 5.1mm, Efficiency: 90%, Lunghezza: 24.8mm, MPN: L4973V5.1

EUR 5.18

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Altezza: 1.25mm, MPN: STS4DNF60L

EUR 2.34

1

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 8 pin, PDIP

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 8 pin, PDIP, Tensione minima in ingresso: 8 V, Corrente di uscita massima: 1.5A, Convertitore: Step Down, Tipo di uscita: Regolabile, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 10.92 x 6.6 x 3.32mm, Efficiency: 85%, Lunghezza: 10.92mm, MPN: L4971

EUR 2.94

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.65mm, MPN: STS5NF60L

EUR 0.79

1

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 8 pin, PDIP

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 8 pin, PDIP, Tensione minima in ingresso: 8 V, Corrente di uscita massima: 1.5A, Convertitore: Step Down, Tipo di uscita: Regolabile, Frequenza di commutazione massima: 0,3 MHz, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 10.92 x 6.6 x 3.32mm, Efficiency: 85%, MPN: L4971

EUR 3.46

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STS5NF60L

EUR 1.13

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STS4DNF60L

EUR 2.63

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STS5NF60L

EUR 0.55

1

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 18 pin, PDIP

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 18 pin, PDIP, Tensione minima in ingresso: 8 V, Corrente di uscita massima: 3.5A, Convertitore: Step Down, Tipo di uscita: Regolabile, Frequenza di commutazione massima: 0,3 MHz, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 24.8 x 7.1 x 5.1mm, Efficiency: 90%, MPN: L4973V5.1

EUR 4.36

1

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 18 pin, PDIP

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 18 pin, PDIP, Tensione minima in ingresso: 8 V, Corrente di uscita massima: 3.5A, Convertitore: Step Down, Tipo di uscita: Regolabile, Frequenza di commutazione massima: 0,3 MHz, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 24.8 x 7.1 x 5.1mm, Efficiency: 90%, MPN: L4973V5.1

EUR 5.35

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STS4DNF60L

EUR 1.01

1

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 8 pin, PDIP

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 8 pin, PDIP, Tensione minima in ingresso: 8 V, Corrente di uscita massima: 1.5A, Convertitore: Step Down, Tipo di uscita: Regolabile, Frequenza di commutazione massima: 0,3 MHz, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 10.92 x 6.6 x 3.32mm, Lunghezza: 10.92mm, MPN: L4971

EUR 2.97

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.4mm, MPN: STP55NF06L

EUR 2.05

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP55NF06L

EUR 1.94

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP55NF06L

EUR 2.27

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 52 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 52 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 350 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW56N60M2

EUR 8.22

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 52 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 52 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 350 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW56N60M2

EUR 9.54

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Altezza: 4.6mm, Lunghezza: 10.4mm, MPN: STB55NF06L

EUR 1.13

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 20 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 20 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Altezza: 4.6mm, Lunghezza: 10.75mm, MPN: STB55NF06LT4

EUR 1.68

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 20 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 20 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 10.75mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STB55NF06LT4

EUR 1.99

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STB55NF06L

EUR 1.13

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STB55NF06L

EUR 0.61

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Modulo di potenza SiC, canale N, 0,065 Ω, 55 A, H2PAK

STMicroelectronics Modulo di potenza SiC, canale N, 0,065 Ω, 55 A, H2PAK

STMicroelectronics Modulo di potenza SiC, canale N, 0,065 Ω, 55 A, H2PAK

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 18 pin, PDIP

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 8 pin, PDIP

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 8 pin, PDIP

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 18 pin, PDIP

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 18 pin, PDIP

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Convertitore c.c.-c.c., Input max 55 V, 8 pin, PDIP

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 52 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 55 mΩ, 52 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 20 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 20 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 18 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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