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STMicroelectronics MOSFET, STL110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STL110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 0.95mm, MPN: STL110N10F7

EUR 2.15
1

STMicroelectronics MOSFET, STP240N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP240N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 DeepGate, STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 15.75mm, Longitud: 10.4mm, MPN: STP240N10F7

EUR 3.09
1

STMicroelectronics MOSFET, STW120NF10, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-247 STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW120NF10, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-247 STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-247 STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 312 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW120NF10

EUR 4.24
1

STMicroelectronics MOSFET, STP240N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP240N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 DeepGate, STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP240N10F7

EUR 3.08
1

STMicroelectronics MOSFET, STH150N10F7-2, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH150N10F7-2, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK DeepGate, STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 4.8mm, MPN: STH150N10F7-2

EUR 3.12
1

STMicroelectronics MOSFET, STF45N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF45N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 16.4mm, MPN: STF45N10F7

EUR 1.87
1

STMicroelectronics MOSFET, STP110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP110N10F7

EUR 2.09
1

STMicroelectronics MOSFET, STP240N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP240N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 DeepGate, STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP240N10F7

EUR 3.62
1

STMicroelectronics MOSFET, STL110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STL110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STL110N10F7

EUR 1.10
1

STMicroelectronics MOSFET, STL110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STL110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STL110N10F7

EUR 2.15
1

STMicroelectronics MOSFET, STW120NF10, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-247 STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW120NF10, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-247 STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-247 STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 312 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 15.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STW120NF10

EUR 4.95
1

STMicroelectronics MOSFET, STH150N10F7-2, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH150N10F7-2, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK DeepGate, STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STH150N10F7-2

EUR 3.31
1

STMicroelectronics MOSFET, STH150N10F7-2, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH150N10F7-2, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK DeepGate, STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK DeepGate, STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STH150N10F7-2

EUR 1.82
1

STMicroelectronics MOSFET, STF45N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF45N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STF45N10F7

EUR 2.22
1

STMicroelectronics MOSFET, STP110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP110N10F7

EUR 2.45
1

STMicroelectronics MOSFET, STP110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP110N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP110N10F7

EUR 2.18
1

STMicroelectronics MOSFET, STF45N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF45N10F7, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STF45N10F7

EUR 2.04
1