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Nexperia MOSFET, canale N, 19,5 mΩ, 7 A, DFN2020, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 19,5 mΩ, 7 A, DFN2020, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 19,5 mΩ, 7 A, DFN2020, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 12,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMPB20EN,115

EUR 0.14
1

Nexperia MOSFET, canale N, 19,5 mΩ, 7 A, DFN2020, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 19,5 mΩ, 7 A, DFN2020, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 19,5 mΩ, 7 A, DFN2020, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 12,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMPB20EN,115

EUR 0.42
1

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 76 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 76 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 76 A, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 51 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN7R0-30YL,115

EUR 0.91
1

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 76 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 76 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 76 A, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 51 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN7R0-30YL,115

EUR 0.44
1

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 211 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN4R6-60BS,118

EUR 1.11
1

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 7 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 211 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN4R6-60BS,118

EUR 2.25
1