Microchip MOSFET, canale N, 1 kΩ, 30 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale
Microchip MOSFET, canale N, 1 kΩ, 30 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.6mm, Lunghezza: 4.6mm, MPN: LND150N8-G