Pricemate

Infineon MOSFET, BSZ180P03NS3GATMA1, P-Canal, 39,6 A, 30 V, 8-Pin, PG-TSDSON-8 OptiMOS P3 Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 39,6 A, 30 V, 8-Pin, PG-TSDSON-8 OptiMOS P3 Si, MPN: BSZ180P03NS3GATMA1

EUR 0.69

1

Infineon MOSFET, BSZ180P03NS3GATMA1, P-Canal, 39,6 A, 30 V, 8-Pin, PG-TSDSON-8 OptiMOS P3 Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 39,6 A, 30 V, 8-Pin, PG-TSDSON-8 OptiMOS P3 Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,018 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.1V, MPN: BSZ180P03NS3GATMA1

EUR 0.38

1

Infineon MOSFET, BSZ180P03NS3GATMA1, P-Canal, 39,6 A, 30 V, 8-Pin, PG-TSDSON-8 OptiMOS P3 Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 39,6 A, 30 V, 8-Pin, PG-TSDSON-8 OptiMOS P3 Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,018 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.1V, MPN: BSZ180P03NS3GATMA1

EUR 0.75

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Infineon MOSFET, canale P, 0,018 O, 39,6 A, PG-TSDSON-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 0,018 O, 39,6 A, PG-TSDSON-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.1V, Serie: OptiMOS P3, MPN: BSZ180P03NS3GATMA1

EUR 0.75

1

Infineon MOSFET, canale P, 0,018 O, 39,6 A, PG-TSDSON-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 0,018 O, 39,6 A, PG-TSDSON-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.1V, Serie: OptiMOS P3, MPN: BSZ180P03NS3GATMA1

EUR 0.38

1

Infineon MOSFET canal P,, PG-TSDSON-8 39,6 A 30 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal P,, PG-TSDSON-8 39,6 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,018 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.1V, Série: OptiMOS P3, MPN: BSZ180P03NS3GATMA1

EUR 0.38

1

Infineon MOSFET canal P,, PG-TSDSON-8 39,6 A 30 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal P,, PG-TSDSON-8 39,6 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,018 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.1V, Série: OptiMOS P3, MPN: BSZ180P03NS3GATMA1

EUR 0.75

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Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET, BSZ180P03NS3GATMA1, P-Canal, 39,6 A, 30 V, 8-Pin, PG-TSDSON-8 OptiMOS P3 Si

Infineon MOSFET, BSZ180P03NS3GATMA1, P-Canal, 39,6 A, 30 V, 8-Pin, PG-TSDSON-8 OptiMOS P3 Si

Infineon MOSFET, BSZ180P03NS3GATMA1, P-Canal, 39,6 A, 30 V, 8-Pin, PG-TSDSON-8 OptiMOS P3 Si

Infineon MOSFET, canale P, 0,018 O, 39,6 A, PG-TSDSON-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 0,018 O, 39,6 A, PG-TSDSON-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET canal P,, PG-TSDSON-8 39,6 A 30 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal P,, PG-TSDSON-8 39,6 A 30 V, 8 broches

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