Infineon MOSFET canal N,, A-220 30 A 650 V, 3 broches
Infineon MOSFET canal N,, A-220 30 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 125 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 219 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 0.9V, Hauteur: 4.57mm, Longueur: 10.36mm, MPN: IPP60R125C6XKSA1