Pricemate

Infineon Driver gate MOSFET TDA21242AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

EUR 3.97

1

Infineon Driver gate MOSFET TDA21240AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

EUR 4.58

1

Infineon Driver gate MOSFET TDA21240AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

Infineon Driver gate MOSFET TDA21240AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin, Tempo di discesa: 15ns

EUR 4.99

1

Infineon Driver gate MOSFET TDA21242AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

Infineon Driver gate MOSFET TDA21242AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin, Tempo di discesa: 15ns

EUR 2.37

1

Infineon Driver gate MOSFET TDA21240AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

Infineon Driver gate MOSFET TDA21240AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin, Tempo di discesa: 15ns

EUR 2.86

1

Infineon Driver gate MOSFET TDA21242AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

Infineon Driver gate MOSFET TDA21242AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin, Tempo di discesa: 15ns

EUR 4.34

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30 V, Dissipazione di potenza massima: 105 W, MPN: IKB15N65EH5ATMA1

EUR 1.98

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30 V, Dissipazione di potenza massima: 105 W, MPN: IKB15N65EH5ATMA1

EUR 1.81

1

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 219 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPP60R125C6XKSA1

EUR 2.23

1

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 219 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPP60R125C6XKSA1

EUR 2.20

1

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 219 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 0.9V, Altezza: 4.57mm, Lunghezza: 10.36mm, MPN: IPP60R125C6XKSA1

EUR 2.23

1

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 219 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.1mm, MPN: IPW60R125C6FKSA1

EUR 5.95

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3, MPN: IKB15N65EH5ATMA1

EUR 1.66

1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, PG-TO252-3

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, PG-TO252-3, MPN: IKD15N60RATMA1

EUR 1.13

1

Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4

Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4, MPN: IMZ120R030M1HXKSA1

EUR 29.65

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 30 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 30 A, PG-TO247-3, MPN: IKW15N120BH6XKSA1

EUR 3.17

1

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 219 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPW60R125C6FKSA1

EUR 7.00

1

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 219 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPW60R125C6FKSA1

EUR 6.28

1

Infineon IGBT, VCE 1600 V., IC 30 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1600 V., IC 30 A, canale N, TO-247, MPN: IHW30N160R5XKSA1

EUR 3.96

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,035 Ω, 30 A, PG-TO263, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,035 Ω, 30 A, PG-TO263, Montaggio superficiale, MPN: IPD26N06S2L35ATMA2

EUR 0.36

1

Infineon IGBT, VCE 1350 V., IC 30 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1350 V., IC 30 A, canale N, TO-247, MPN: IHW30N135R5XKSA1

EUR 3.15

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,013 Ω, 30 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,013 Ω, 30 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, MPN: IPD30N06S2L13ATMA4

EUR 1.40

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0021 Ω, 30 A, PQFN 5mm x 6mm, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0021 Ω, 30 A, PQFN 5mm x 6mm, Montaggio superficiale, MPN: IRFH8311TRPBF

EUR 0.50

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0147 Ω, 30 A, PG-TO252-3-11, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0147 Ω, 30 A, PG-TO252-3-11, Montaggio superficiale, MPN: IPD30N06S215ATMA2

EUR 0.67

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247-3-HCC

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247-3-HCC, MPN: IKWH30N65WR6XKSA1

EUR 2.44

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Driver gate MOSFET TDA21242AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

Infineon Driver gate MOSFET TDA21240AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

Infineon Driver gate MOSFET TDA21240AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

Infineon Driver gate MOSFET TDA21242AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

Infineon Driver gate MOSFET TDA21240AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

Infineon Driver gate MOSFET TDA21242AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, PG-TO252-3

Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 30 A, PG-TO247-3

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 125 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

Infineon IGBT, VCE 1600 V., IC 30 A, canale N, TO-247

Infineon MOSFET, canale N, 0,035 Ω, 30 A, PG-TO263, Montaggio superficiale

Infineon IGBT, VCE 1350 V., IC 30 A, canale N, TO-247

Infineon MOSFET, canale N, 0,013 Ω, 30 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0021 Ω, 30 A, PQFN 5mm x 6mm, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0147 Ω, 30 A, PG-TO252-3-11, Montaggio superficiale

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247-3-HCC

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