Pricemate

Infineon Driver gate MOSFET IR35411MTRPBFAUMA1, 60 A, 4.25 → 16V, PQFN

EUR 2.64

1

Infineon Driver gate MOSFET IR35411MTRPBFAUMA1, 60 A, 4.25 → 16V, PQFN

EUR 4.79

1

Infineon Driver gate MOSFET IR35411MTRPBFAUMA1, 60 A, 4.25 → 16V, PQFN

EUR 4.39

1

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 40 A, ThinPAK 8x8

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 40 A, ThinPAK 8x8, MPN: IPL60R060CFD7AUMA1

EUR 10.15

1

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 35 A, TO-220

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 35 A, TO-220, MPN: IPP60R060C7XKSA1

EUR 5.25

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, PG-TO247-3, MPN: IHW30N65R5XKSA1

EUR 2.77

1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3, MPN: AIKW30N60CTXKSA1

EUR 7.73

1

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 36 A, PG-TO247-3

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 36 A, PG-TO247-3, MPN: IMW120R060M1HXKSA1

EUR 16.72

1

Infineon MOSFET, canale N, 60 mΩ, 25 A, TO-252, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 60 mΩ, 25 A, TO-252, Montaggio superficiale, MPN: IPD600N25N3GATMA1

EUR 2.45

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0098 Ω, 60 A, PG-TDSON-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0098 Ω, 60 A, PG-TDSON-8, Montaggio superficiale, MPN: BSC098N10NS5ATMA1

EUR 0.72

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, canale N, TO-247-3-HCC

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, canale N, TO-247-3-HCC, MPN: IKWH60N65WR6XKSA1

EUR 4.16

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,012 Ω, 60 A, PG-TO252-3-313, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,012 Ω, 60 A, PG-TO252-3-313, Montaggio superficiale, MPN: IPD60N10S4L12ATMA1

EUR 0.72

1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 187 W, MPN: AIKW30N60CTXKSA1

EUR 6.52

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, PG-TO247-3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 176 W, MPN: IHW30N65R5XKSA1

EUR 3.13

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, PG-TO247-3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 176 W, MPN: IHW30N65R5XKSA1

EUR 3.03

1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 187 W, MPN: AIKW30N60CTXKSA1

EUR 8.44

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,7 mΩ, 60 A, TO-220FP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 5,7 mΩ, 60 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 38 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.65mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPA057N06N3GXKSA1

EUR 2.37

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,7 mΩ, 60 A, TO-220FP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 5,7 mΩ, 60 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 38 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.65mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPA057N06N3GXKSA1

EUR 2.37

1

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A, MPN: AUIPS7221RTRL

EUR 2.31

1

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A, MPN: AUIPS7221RTRL

EUR 2.12

1

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A, MPN: AUIPS7221RTRL

EUR 2.52

1

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A, MPN: AUIPS72211RTRL

EUR 2.04

1

Infineon Driver gate MOSFET 2EDN8523FXTMA1, CMOS, 5 A, 4.5 → 20V, PG-DSO-8-60, 8-Pin

EUR 1.30

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,7 mΩ, 60 A, TO-220FP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 5,7 mΩ, 60 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 38 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: IPA057N06N3GXKSA1

EUR 1.31

1

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 36 A, PG-TO247-3

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 36 A, PG-TO247-3, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Serie: IMW1, MPN: IMW120R060M1HXKSA1

EUR 15.23

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Driver gate MOSFET IR35411MTRPBFAUMA1, 60 A, 4.25 → 16V, PQFN

Infineon Driver gate MOSFET IR35411MTRPBFAUMA1, 60 A, 4.25 → 16V, PQFN

Infineon Driver gate MOSFET IR35411MTRPBFAUMA1, 60 A, 4.25 → 16V, PQFN

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 40 A, ThinPAK 8x8

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 35 A, TO-220

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 36 A, PG-TO247-3

Infineon MOSFET, canale N, 60 mΩ, 25 A, TO-252, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0098 Ω, 60 A, PG-TDSON-8, Montaggio superficiale

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, canale N, TO-247-3-HCC

Infineon MOSFET, canale N, 0,012 Ω, 60 A, PG-TO252-3-313, Montaggio superficiale

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3

Infineon MOSFET, canale N, 5,7 mΩ, 60 A, TO-220FP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 5,7 mΩ, 60 A, TO-220FP, Su foro

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A

Infineon Switch di alimentazione CI High side, 1 canale, DPAK, 5 pin, 60 V, 5A

Infineon Driver gate MOSFET 2EDN8523FXTMA1, CMOS, 5 A, 4.5 → 20V, PG-DSO-8-60, 8-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 5,7 mΩ, 60 A, TO-220FP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 60 m.Ω, 36 A, PG-TO247-3

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