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IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 52 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 780 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH60N65X2

EUR 10.21
1

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 52 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 780 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 16.05mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFT60N65X2HV

EUR 12.76
1

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 52 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 780 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 16.05mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFT60N65X2HV

EUR 11.00
1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 52 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 780 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH60N65X2

EUR 11.85
1

IXYS MOSFET, IXFT60N65X2HV, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFT60N65X2HV, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 780 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.05mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFT60N65X2HV

EUR 13.35
1

IXYS MOSFET, IXFT60N65X2HV, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFT60N65X2HV, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 780 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.05mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFT60N65X2HV

EUR 11.50
1

IXYS MOSFET, IXFH60N65X2, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFH60N65X2, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 780 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH60N65X2

EUR 11.85
1

IXYS MOSFET, IXFH60N65X2, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFH60N65X2, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 780 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH60N65X2

EUR 10.21
1

IXYS MOSFET, IXFH60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH60N50P3

EUR 8.73
1

IXYS MOSFET, IXFQ60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFQ60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFQ60N50P3

EUR 5.33
1

IXYS MOSFET, IXFQ60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFQ60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFQ60N50P3

EUR 8.26
1

IXYS MOSFET, IXFH60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH60N50P3

EUR 10.13
1