Pricemate

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 550 A 55 V, 24 broches

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 550 A 55 V, 24 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Dissipation de puissance maximum: 830 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 25.25mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: MMIX1T550N055T2

EUR 46.64

1

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 550 A 55 V, 24 broches

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 550 A 55 V, 24 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Dissipation de puissance maximum: 830 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 25.25mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: MMIX1T550N055T2

EUR 41.70

1

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 550 A 55 V, 24 broches

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 550 A 55 V, 24 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Dissipation de puissance maximum: 830 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 5.7mm, MPN: MMIX1T550N055T2

EUR 45.70

1

IXYS MOSFET, MMIX1T550N055T2, N-Canal-Canal, 550 A, 55 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 550 A, 55 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Disipación de Potencia Máxima: 830 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 25.25mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: MMIX1T550N055T2

EUR 46.64

1

IXYS MOSFET, MMIX1T550N055T2, N-Canal-Canal, 550 A, 55 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 550 A, 55 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Disipación de Potencia Máxima: 830 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 25.25mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: MMIX1T550N055T2

EUR 41.70

1

IXYS MOSFET, MMIX1T550N055T2, N-Canal-Canal, 550 A, 55 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 550 A, 55 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Disipación de Potencia Máxima: 830 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 5.7mm, MPN: MMIX1T550N055T2

EUR 45.70

1

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Type de montage: Traversant, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 8.85

1

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Type de montage: Traversant, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 10.26

1

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 10.26

1

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 8.85

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 8.85

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 10.26

1

IXYS IGBT, IXGT30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, TO-268, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 50 A, 1200 V, TO-268, 3 broches, Simple, Type de montage: CMS, Dimensions: 16.05 x 14 x 5.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGT30N120B3D1

EUR 8.76

1

IXYS IGBT, IXGT30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, TO-268, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 50 A, 1200 V, TO-268, 3 broches, Simple, Type de montage: CMS, Dimensions: 16.05 x 14 x 5.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGT30N120B3D1

EUR 7.56

1

IXYS IGBT, IXGT30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-268, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, 50 A, 1.200 V, TO-268, 3-Pines Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 16.05 x 14 x 5.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXGT30N120B3D1

EUR 7.56

1

IXYS Diodo de conmutación, DSEP30-06B Conexión de silicio, TO-247AC, 2-Pines 2.51V

IXYS Diodo de conmutación Conexión de silicio, TO-247AC, 2-Pines 2.51V, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: DSEP30-06B

EUR 4.14

1

IXYS Diodo de conmutación, DSEP30-06B Conexión de silicio, TO-247AC, 2-Pines 2.51V

IXYS Diodo de conmutación Conexión de silicio, TO-247AC, 2-Pines 2.51V, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: DSEP30-06B

EUR 4.14

1

IXYS Diodo de conmutación, DSEP30-06B Conexión de silicio, TO-247AC, 2-Pines 2.51V

IXYS Diodo de conmutación Conexión de silicio, TO-247AC, 2-Pines 2.51V, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: DSEP30-06B

EUR 3.61

1

IXYS IGBT, IXGH24N170,, 50 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 50 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH24N170

EUR 17.36

1

IXYS IGBT, IXGH6N170,, 6 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 6 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH6N170

EUR 8.41

1

IXYS IGBT, IXGH32N170,, 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH32N170

EUR 19.15

1

IXYS IGBT, IXGH40N120B2D1,, 75 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 75 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH40N120B2D1

EUR 14.27

1

IXYS IGBT, IXGH100N30C3,, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 3.94

1

IXYS IGBT, IXDH20N120D1,, 38 A, 1200 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 38 A, 1200 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXDH20N120D1

EUR 6.91

1

IXYS IGBT, IXDH20N120D1,, 38 A, 1200 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 38 A, 1200 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXDH20N120D1

EUR 6.35

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 550 A 55 V, 24 broches

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 550 A 55 V, 24 broches

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 550 A 55 V, 24 broches

IXYS MOSFET, MMIX1T550N055T2, N-Canal-Canal, 550 A, 55 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, MMIX1T550N055T2, N-Canal-Canal, 550 A, 55 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, MMIX1T550N055T2, N-Canal-Canal, 550 A, 55 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247

IXYS IGBT, IXGT30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, TO-268, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGT30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, TO-268, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGT30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-268, 3-Pines Simple

IXYS Diodo de conmutación, DSEP30-06B Conexión de silicio, TO-247AC, 2-Pines 2.51V

IXYS Diodo de conmutación, DSEP30-06B Conexión de silicio, TO-247AC, 2-Pines 2.51V

IXYS Diodo de conmutación, DSEP30-06B Conexión de silicio, TO-247AC, 2-Pines 2.51V

IXYS IGBT, IXGH24N170,, 50 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH6N170,, 6 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH32N170,, 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH40N120B2D1,, 75 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH100N30C3,, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXDH20N120D1,, 38 A, 1200 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXDH20N120D1,, 38 A, 1200 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

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