Pricemate

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 100 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH60N50P3

EUR 9.63

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 60 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 60 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 100 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFQ60N50P3

EUR 8.26

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 60 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 60 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 100 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFQ60N50P3

EUR 5.33

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 100 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH60N50P3

EUR 8.73

1

IXYS MOSFET, IXFH60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 21.46mm, Longitud: 16.26mm, MPN: IXFH60N50P3

EUR 9.63

1

IXYS MOSFET, IXFH60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH60N50P3

EUR 8.73

1

IXYS MOSFET, IXFQ60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFQ60N50P3

EUR 8.26

1

IXYS MOSFET, IXFQ60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFQ60N50P3

EUR 5.33

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH60N50P3

EUR 9.63

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH60N50P3

EUR 8.73

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFQ60N50P3

EUR 5.33

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFQ60N50P3

EUR 8.26

1

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Type de montage: Traversant, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 8.85

1

IXYS Diodo, DSSK60-0045B, 60A, 45V, TO-247AD, 3-Pines

IXYS Diodo, 60A, 45V, TO-247AD, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Tipo de Diodo: Schottky, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 650A, MPN: DSSK60-0045B

EUR 5.37

1

IXYS Diodo, DSSK80-0045B, 80A, 45V, TO-247AD, 3-Pines

IXYS Diodo, 80A, 45V, TO-247AD, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Tipo de Diodo: Schottky, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 750A, MPN: DSSK80-0045B

EUR 6.79

1

IXYS Diodo, DSSK50-01A, 50A, 100V, TO-247AD, 3-Pines

IXYS Diodo, 50A, 100V, TO-247AD, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Tipo de Diodo: Schottky, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 450A, MPN: DSSK50-01A

EUR 5.64

1

IXYS Diodo, DSSK80-0045B, 80A, 45V Schottky, TO-247AD, 3-Pines

IXYS Diodo, 80A, 45V Schottky, TO-247AD, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 750A, MPN: DSSK80-0045B

EUR 6.10

1

IXYS Diodo, DSSK50-01A, 50A, 100V Schottky, TO-247AD, 3-Pines

IXYS Diodo, 50A, 100V Schottky, TO-247AD, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 450A, MPN: DSSK50-01A

EUR 5.07

1

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 8.85

1

IXYS TRIAC, 1200V, 30A, A-247, ±80mA, 3 broches

IXYS TRIAC, 1200V, 30A, A-247, ±80mA, 3 broches, Type de montage: Traversant, Courant de surcharge: 410A, Tension de déclenchement de Grille maximum: 1.9V, Courant de maintien maximum: 60mA, Dimensions: 16.24 x 5.3 x 21.45mm, Longueur: 16.24mm, Largeur: 5.3mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: CLA60MT1200NHB

EUR 6.59

1

IXYS Thyristor, CLA80E1200HF, 80A, 80mA, 1200V, PLUS247, 3 broches

IXYS Thyristor, 80A, 80mA, 1200V, PLUS247, 3 broches, Courant de surcharge: 970A, Type de montage: Traversant, Tension de déclenchement de Grille maximum: 1.6V, Courant de maintien maximum: 100mA, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: CLA80E1200HF

EUR 6.34

1

IXYS TRIAC, 1200V, 30A, A-247, ±80mA, 3 broches

IXYS TRIAC, 1200V, 30A, A-247, ±80mA, 3 broches, Type de montage: Traversant, Courant de surcharge: 410A, Tension de déclenchement de Grille maximum: 1.9V, Courant de maintien maximum: 60mA, Dimensions: 16.24 x 5.3 x 21.45mm, Longueur: 16.24mm, Largeur: 5.3mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: CLA60MT1200NHB

EUR 5.57

1

IXYS Diodo, DSP25-16A, 28A, 1600V, TO-247AD, 3-Pines

IXYS Diodo, 28A, 1600V, TO-247AD, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Serie, Caída de tensión directa máxima: 1.6V, Tecnología de diodo: Conexión de silicio, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 330A, MPN: DSP25-16A

EUR 5.27

1

IXYS Diode traversante, 45A, 1600V, TO-247AD

IXYS Diode traversante, 45A, 1600V, TO-247AD, Configuration de diode: Série, Nombre de broches: 3, Chute minimale de tension directe: 1.23V, Technologie de diode: Jonction au silicium, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 510A, MPN: DSP45-16A

EUR 6.74

3

IXYS IGBT, IXGT30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, TO-268, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 50 A, 1200 V, TO-268, 3 broches, Simple, Type de montage: CMS, Dimensions: 16.05 x 14 x 5.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGT30N120B3D1

EUR 8.76

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 60 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 60 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET, IXFH60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFQ60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFQ60N50P3, N-Canal-Canal, 60 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS Diodo, DSSK60-0045B, 60A, 45V, TO-247AD, 3-Pines

IXYS Diodo, DSSK80-0045B, 80A, 45V, TO-247AD, 3-Pines

IXYS Diodo, DSSK50-01A, 50A, 100V, TO-247AD, 3-Pines

IXYS Diodo, DSSK80-0045B, 80A, 45V Schottky, TO-247AD, 3-Pines

IXYS Diodo, DSSK50-01A, 50A, 100V Schottky, TO-247AD, 3-Pines

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

IXYS TRIAC, 1200V, 30A, A-247, ±80mA, 3 broches

IXYS Thyristor, CLA80E1200HF, 80A, 80mA, 1200V, PLUS247, 3 broches

IXYS TRIAC, 1200V, 30A, A-247, ±80mA, 3 broches

IXYS Diodo, DSP25-16A, 28A, 1600V, TO-247AD, 3-Pines

IXYS Diode traversante, 45A, 1600V, TO-247AD

IXYS IGBT, IXGT30N120B3D1,, 50 A, 1200 V, TO-268, 3 broches, Simple

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