Pricemate

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 110 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 110 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 56 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,89 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 26.59mm, Longueur: 20.29mm, MPN: IXFB110N60P3

EUR 20.80

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 110 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 110 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 56 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,89 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 20.29mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFB110N60P3

EUR 19.51

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 110 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 110 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 56 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,89 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 20.29mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFB110N60P3

EUR 22.22

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 480 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH110N10P

EUR 6.72

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 110 A 850 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 110 A 850 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,17 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN110N85X

EUR 57.66

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 110 A 850 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 110 A 850 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,17 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN110N85X

EUR 54.16

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 480 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH110N10P

EUR 7.18

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 480 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH110N10P

EUR 6.19

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 250 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 694 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTH110N25T

EUR 7.56

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 250 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 694 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTH110N25T

EUR 9.38

1

IXYS Module IGBT, MDI200-12A4,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 7 broches, Simple

IXYS Module IGBT,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 7 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Montage panneau, Dimensions: 110 x 62 x 30mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 62mm, MPN: MDI200-12A4

EUR 98.11

1

IXYS Module IGBT, MID200-12A4,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 5 broches, Simple

IXYS Module IGBT,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 5 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Montage panneau, Dimensions: 110 x 62 x 30mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 62mm, MPN: MID200-12A4

EUR 94.46

1

IXYS Module IGBT, MID200-12A4,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 5 broches, Simple

IXYS Module IGBT,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 5 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Montage panneau, Dimensions: 110 x 62 x 30mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 62mm, MPN: MID200-12A4

EUR 109.79

1

IXYS Module IGBT, MDI200-12A4,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 7 broches, Simple

IXYS Module IGBT,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 7 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Montage panneau, Dimensions: 110 x 62 x 30mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 62mm, MPN: MDI200-12A4

EUR 83.42

1

IXYS Module IGBT, MII400-12E4, 420 A 1200 V, Canal-N Y3 Li, 7 broches

IXYS Module IGBT, 420 A 1200 V, Canal-N Y3 Li, 7 broches, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Configuration: Série, Type de montage: Montage à visser, Dimensions: 110 x 62 x 28.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 62mm, MPN: MII400-12E4

EUR 160.52

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 9.15mm, Longueur: 10.66mm, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.48

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTP36N30P

EUR 3.77

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.67

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 110 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 110 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 110 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 110 A 850 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 110 A 850 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 250 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 250 V, 3 broches

IXYS Module IGBT, MDI200-12A4,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 7 broches, Simple

IXYS Module IGBT, MID200-12A4,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 5 broches, Simple

IXYS Module IGBT, MID200-12A4,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 5 broches, Simple

IXYS Module IGBT, MDI200-12A4,, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 7 broches, Simple

IXYS Module IGBT, MII400-12E4, 420 A 1200 V, Canal-N Y3 Li, 7 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

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