Pricemate

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTK102N65X2

EUR 14.96

1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXFK100N65X2

EUR 17.21

1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 20.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTK102N65X2

EUR 15.78

1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 20.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK100N65X2

EUR 15.96

1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 595 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN102N65X2

EUR 29.40

1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 595 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN102N65X2

EUR 31.89

1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 20.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTK102N65X2

EUR 18.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 20.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK100N65X2

EUR 18.12

1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 595 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTN102N65X2

EUR 27.76

1

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 14.82

1

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 16.26mm, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 13.62

1

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 13.07

1

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 695 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH34N50P3

EUR 2.95

1

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 26.16mm, Lunghezza: 19.96mm, MPN: IXFK32N100Q3

EUR 26.55

1

IXYS MOSFET, canale N, 39 mΩ, 132 A, PLUS264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 39 mΩ, 132 A, PLUS264, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,89 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 26.59mm, Lunghezza: 20.29mm, MPN: IXFB132N50P3

EUR 20.92

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.3mm, Lunghezza: 15.8mm, MPN: IXFQ60N50P3

EUR 4.26

1

IXYS MOSFET, canale N, 360 mΩ, 16 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 360 mΩ, 16 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 330 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH16N50P3

EUR 6.58

1

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-3P, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 695 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.3mm, Lunghezza: 15.8mm, MPN: IXFQ34N50P3

EUR 7.48

1

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.48

1

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 28.90

1

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 29.87

1

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.61

1

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH36N50P

EUR 9.83

1

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 650 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH36N60P

EUR 10.58

1

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 29.87

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 39 mΩ, 132 A, PLUS264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 360 mΩ, 16 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

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