Pricemate

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 10.26

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 8.85

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-268

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-268, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.05 x 14 x 5.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGT30N120B3D1

EUR 7.56

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-268

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-268, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.05 x 14 x 5.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGT30N120B3D1

EUR 8.76

1

IXYS Diodo switching, Su foro, TO247AC, Singolo, 2 Pin

IXYS Diodo switching, Su foro, TO247AC, Singolo, 2 Pin, Numero di elementi per chip: 1, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 2.51V, Minima temperatura operativa: -55 °C, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: DSEP30-06B

EUR 3.61

1

IXYS Diodo switching, Su foro, TO247AC, Singolo, 2 Pin

IXYS Diodo switching, Su foro, TO247AC, Singolo, 2 Pin, Numero di elementi per chip: 1, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 2.51V, Minima temperatura operativa: -55 °C, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: DSEP30-06B

EUR 4.14

1

IXYS Diodo switching, Su foro, TO247AC, Singolo, 2 Pin

IXYS Diodo switching, Su foro, TO247AC, Singolo, 2 Pin, Numero di elementi per chip: 1, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 2.51V, Minima temperatura operativa: -55 °C, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: DSEP30-06B

EUR 4.14

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 9.39

1

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 4.11

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXDH20N120D1

EUR 6.91

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXDH20N120D1

EUR 6.35

1

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 3.94

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 10.45

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 50 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 50 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH24N170

EUR 14.87

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 6 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 6 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH6N170

EUR 8.41

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH32N170

EUR 19.15

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 50 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 50 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH24N170

EUR 17.36

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 6 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 6 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH6N170

EUR 10.47

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH40N120B2D1

EUR 14.27

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH32N170

EUR 16.87

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH40N120B2D1

EUR 16.17

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30V, Dissipazione di potenza massima: 937 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYX30N170CV1

EUR 20.51

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30V, Dissipazione di potenza massima: 937 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYX30N170CV1

EUR 18.45

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30V, Dissipazione di potenza massima: 937 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYH30N170C

EUR 13.34

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30V, Dissipazione di potenza massima: 937 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYH30N170C

EUR 15.14

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-268

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-268

IXYS Diodo switching, Su foro, TO247AC, Singolo, 2 Pin

IXYS Diodo switching, Su foro, TO247AC, Singolo, 2 Pin

IXYS Diodo switching, Su foro, TO247AC, Singolo, 2 Pin

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 50 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 6 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 50 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 6 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD

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