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IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 200 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 13.07
1

IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 200 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 14.82
1

IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 200 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 16.26mm, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 13.62
1

IXYS MOSFET, IXFK100N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFK100N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.7V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: IXFK100N65X2

EUR 17.21
1

IXYS MOSFET, IXTN102N65X2, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTN102N65X2, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTN102N65X2

EUR 31.89
1

IXYS MOSFET, IXTN102N65X2, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTN102N65X2, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTN102N65X2

EUR 29.40
1

IXYS MOSFET, IXTK102N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTK102N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: IXTK102N65X2

EUR 14.96
1

IXYS MOSFET, IXTN102N65X2, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTN102N65X2, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: IXTN102N65X2

EUR 27.76
1

IXYS MOSFET, IXFK100N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFK100N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.7V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 20.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFK100N65X2

EUR 18.12
1

IXYS MOSFET, IXTK102N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTK102N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 20.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTK102N65X2

EUR 15.78
1

IXYS MOSFET, IXFK100N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFK100N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.7V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 20.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFK100N65X2

EUR 15.96
1

IXYS MOSFET, IXTK102N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTK102N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 20.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTK102N65X2

EUR 18.36
1

IXYS MOSFET, MMIX1F180N25T, N-Canal-Canal, 132 A, 250 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, MMIX1F180N25T, N-Canal-Canal, 132 A, 250 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 132 A, 250 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 570 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 25.25mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMIX1F180N25T

EUR 50.65
1

IXYS MOSFET, IXFX32N100Q3, N-Canal-Canal, 32 A, 1.000 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFX32N100Q3, N-Canal-Canal, 32 A, 1.000 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 32 A, 1.000 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 320 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 21.34mm, Longitud: 16.13mm, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 29.87
1

IXYS MOSFET, IXFR24N100Q3, N-Canal-Canal, 18 A, 1.000 V, 3-Pin, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFR24N100Q3, N-Canal-Canal, 18 A, 1.000 V, 3-Pin, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 18 A, 1.000 V, 3-Pin, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 490 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 21.34mm, Longitud: 16.13mm, MPN: IXFR24N100Q3

EUR 26.01
1

IXYS MOSFET, MMIX1F180N25T, N-Canal-Canal, 132 A, 250 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, MMIX1F180N25T, N-Canal-Canal, 132 A, 250 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 132 A, 250 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 570 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 25.25mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMIX1F180N25T

EUR 45.12
1