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DiodesZetex Transistor NPN + PNP, 6 Pin, SOT-26, 600 mA, 60 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN + PNP, 6 Pin, SOT-26, 600 mA, 60 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN + PNP, 6 Pin, SOT-26, 600 mA, 60 V, Montaggio superficiale, Tensione massima collettore emitter: 40 V, 60 V, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima base del collettore: -60 V, 75 V, Tensione massima base emitter: -5 V (PNP), 6 V (NPN), Frequenza operativa massima: 300 MHz, Dimensioni: 3.1 x 1.7 x 1.3mm, MPN: MMDT2227M-7

EUR 0.17
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 11,5 mΩ, 60 A, POWERDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 11,5 mΩ, 60 A, POWERDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 11,5 mΩ, 60 A, POWERDI3333, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 41 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 3.35mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMT6008LFG-7

EUR 0.87
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 11,5 mΩ, 60 A, POWERDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 11,5 mΩ, 60 A, POWERDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 11,5 mΩ, 60 A, POWERDI3333, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 41 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 3.35mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMT6008LFG-7

EUR 0.38
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 11,5 mΩ, 60 A, POWERDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 11,5 mΩ, 60 A, POWERDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 11,5 mΩ, 60 A, POWERDI3333, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 41 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: DMT6008LFG-7

EUR 0.55
1

DiodesZetex Transistor NPN + PNP, 6 Pin, SOT-363 (SC-88), 600 mA, 60 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN + PNP, 6 Pin, SOT-363 (SC-88), 600 mA, 60 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN + PNP, 6 Pin, SOT-363 (SC-88), 600 mA, 60 V, Montaggio superficiale, Tensione massima collettore emitter: 40 V, 60 V, Dissipazione di potenza massima: 200 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 50, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima base del collettore: -60 V, 75 V, Tensione massima base emitter: -5 (PNP), 6 (NPN) V, Dimensioni: 2.2 x 1.35 x 1mm, Lunghezza: 2.2mm, MPN: MMDT2227-7-F

EUR 0.12
1